Кількість
|
Вартість
|
||
|
Материал p-n-перехода: Si
Структура транзистора: PNP
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 60 W
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 0 V
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 50 V
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 0 V
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 12 A
Предельная температура p-n перехода (Tj): 175 C
Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): pF
Статичний коефіцієнт передачі струму в схемі з загальним емітером (Hfe), min: 50
Корпус: TO3-P